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发布日期:2025-06-25 03:55 点击次数:97

比创达申请一种WF工艺及其在DFN封装中的应用专利, 显著增强DFN封装体的侧面焊盘的焊接强度和可靠性

金融界2025年6月6日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市比创达电子科技有限公司申请一项名为“一种WF工艺及其在DFN封装中的应用”的专利,公开号CN120109031A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明属于DFN封装技术领域,提供一种WF工艺及其在DFN封装中的应用,WF工艺包括:在DFN封装体的侧面开设凹槽,使焊盘从底部延伸至侧面;使用化学电镀的方法,在DFN封装体的侧面的焊盘上形成镍镀层;对形成的镍镀层进行质量检测。本发明通过WF工艺,可以显著增强DFN封装体的侧面焊盘的焊接强度和可靠性,提高了封装的整体性能和稳定性;镍镀层的形成不仅增强了焊盘的耐腐蚀性和耐磨性,还提高了焊盘的导电性能,使得DFN封装体在应用中表现出更优越的性能。

天眼查资料显示,深圳市比创达电子科技有限公司,成立于2012年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2480万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市比创达电子科技有限公司共对外投资了3家企业,财产线索方面有商标信息7条,专利信息40条,此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自:金融界

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